Dissertation: Zeitaufgelöste Charakterisierung und Modellierung von Degradationsmechanismen in Leistungstransistoren (w/m/div)

An einer Universität promovieren und gleichzeitig Berufserfahrung sammeln - ein idealer Start für Ihre Karriere. Bringen Sie Ihre Forschung bei uns voran und profitieren Sie von unserem großen Netzwerk an Doktorandinnen und der Expertise einer Universität. Die Betreuung erfolgt sowohl durch Professorinnen als auch durch engagierte Infineon-Mitarbeiter*innen.

Ihre Aufgaben im Rahmen der Dissertation:

• Einschulung in Halbleiterphysik, SiC, GaN und Si-Technologieentwicklung
• Aufbau und Erweiterung einer Gate-Spannung - Drain-Strom-Regelungsschaltung zur Bestimmung der Einsatzspannung eines Si-Transistors innerhalb 100ns
• Bewertung von Technologie- und Prozessänderungen von Si-Trench-Leistungstransistoren
• Modellierung der Änderung der Einsatzspannung für beliebige Belastungsprofile mittels Comphy.eu

Forschungsthemen: Infineon Technologies Austria in Villach entwickelt Leistungstransistoren auf Basis von Siliciumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) und Silicium (Si). Die Si-Trench-Transistoren erfüllen bereits die Anforderungen an Zuverlässigkeit für bestehende Anwendungen. Um jedoch neue Märkte zu erschließen, ist es entscheidend, die Alterung dieser Transistoren besser zu verstehen. Besonders Anforderungen, in denen die Transistoren unter extremen Bedingungen eingesetzt werden, erfordern ein tieferes Verständnis der Degradationsprozesse, um die Lebensdauer präziser bestimmen zu können. Aktuell wird die Lebensdauer in DC-Belastungstests überprüft, obwohl die Applikationsbelastung bei etwa 100 kHz liegt. Es ist daher notwendig zu validieren, ob die mikrophysikalischen Prozesse, die bei AC-Belastung auftreten, denjenigen bei DC-Belastung entsprechen. Zu diesem Zweck soll eine Messschaltung auf Wafer-Ebene verwendet und weiterentwickelt werden, um AC- und DC-Belastungen mit einer Zeitauflösung von ca. 100 ns zu ermöglichen. Dadurch kann der gesamte Frequenzbereich gründlich untersucht werden.

Unser universitärer Partner für diese Arbeit ist die TU Wien, mit Prof. Michael Waltl (Institut für Mikroelektronik der TU Wien), der die Betreuung übernimmt.

Beginn: 01.05.2024 (oder später)

Vollzeitbeschäftigung: 38.5 Std/Woche

Dauer: 3 JahrePromovierende bei Infineon sind Forschungsenthusiasten,

....deren Interesse die wissenschaftliche Forschung in Verbindung mit der Leidenschaft für die innovativen Produkte und Anwendungen von Infineon ist,

....die gerne in Kombination mit einer Infineon-Partnerhochschule in einem industriellen Umfeld arbeiten,

....die eine offene Kommunikation und den Beitrag eines internationalen Umfelds schätzen,

....und die damit ausgezeichnete Kandidatinnen/Kandidaten für eine weitere akademische oder industrielle Karriere nach Abschluss der Dissertation sind.

Als ideale Kandidatin / idealer Kandidat bringen Sie mit:

• Ein abgeschlossenes Masterstudium in Physik, Elektrotechnik oder einer vergleichbaren Fachrichtung
• Erfahrung auf mindestens einem der folgenden Gebiete: Halbleiterphysik, Festkörperphysik, Messtechnik und Datenauswertung
• Analytische Fähigkeiten, Kreativität und die Bereitschaft zum interdisziplinären Arbeiten
• Eine ausgeprägte Eigeninitiative und Einsatzbereitschaft
• Sehr gute Kommunikationsfähigkeiten auf Deutsch und Englisch

Bitte fügen Sie der Bewerbung die folgenden Dokumente bei:

• Ihr Lebenslauf
• Motivationsschreiben
• Kopie Ihres Masterabschlusses, falls bereits vorhanden
• Ansonsten: Kopie Ihres letzten Studienzeugnisses

Diese Position unterliegt dem KV für Arbeiter und Angestellte der EEI

(https://www.feei.at/leistungen/informations-service/mindestlohne-und-gehalter). Das Gehalt für diese Stelle beträgt EUR 3.300,00 brutto p.m. (Vollzeitbasis).