Dissertation: Charakterisierung von Ladungsansammlungen in GaN Transistoren für realitätsnahe TCAD Simulationen (w/m/div)

An einer Universität promovieren und gleichzeitig Berufserfahrung sammeln - ein idealer Start für Ihre Karriere. Bringen Sie Ihre Forschung bei uns voran und profitieren Sie von unserem großen Netzwerk an Doktorandinnen und der Expertise einer Universität. Die Betreuung erfolgt sowohl durch Professorinnen als auch durch engagierte Infineon-Mitarbeiter*innen.

Ihre Aufgaben im Rahmen der Dissertation:

• Einschulung in Halbleiterphysik, GaN, SiC, und Si-Technologieentwicklung
• Verbesserung des bestehenden Aufbaus für "wafer-level dynamic high-temperature operating lifetime tests" (DHTOL)
• Messung der Ladungsansammlungen in GaN HEMTs mittels mikrosekunden-zeitaufgelöster Strommessung
• Generierung von belastbaren elektrischen Daten für die TCAD Simulationen von Ladungsträgereinbau in Zwischenschichten des GaN-Stacks

Forschungsthemen: Infineon Technologies Austria in Villach entwickelt Leistungstransistoren auf Basis der Halbleitermaterialien Silicium (Si), Siliciumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). High-Electron-Mobility Transistoren (HEMTs) auf Basis von GaN werden in Anwendungen jenseits von 100 kHz betrieben, wobei gleichzeitig hohe Ströme und Spannungen am Bauteil anliegen können, was eine beschleunigte Alterung des Transistors auslösen kann. Die Reduktion dieser Degradation ist entscheidend, um neue Anwendungsmärkte zu erschließen. Der Schlüssel dazu liegt im detaillierten Verständnis der Ansammlung von Ladungen in den Zwischenschichten des GaN-Stacks. Um dieses Verständnis zu erlangen, müssen belastbare Daten über diese Ladungsansammlungen gesammelt werden, die dann in TCAD Simulationen integriert werden. Dies bietet in weiterer Folge neue Einblicke in den Degradationseffekt. Durch ein Degradationsmodell in TCAD können die Belastungsfälle der neuen Anwendungen simuliert und ein physikalisches, evidenzbasiertes Lebensdauermodell entwickelt werden, um die Technologie für neue Anwendungen freizugeben.

Unser universitärer Partner für diese Arbeit ist die TU Wien, mit Prof. Dionyz Pogany (Institut für Festkörperelektronik der TU Wien), der die Betreuung übernimmt.

Beginn: 01.07.2024 (oder später)

Vollzeitbeschäftigung: 38.5 Std/Woche

Dauer: 3 JahrePromovierende bei Infineon sind Forschungsenthusiasten,

....deren Interesse die wissenschaftliche Forschung in Verbindung mit der Leidenschaft für die innovativen Produkte und Anwendungen von Infineon ist,

....die gerne in Kombination mit einer Infineon-Partnerhochschule in einem industriellen Umfeld arbeiten,

....die eine offene Kommunikation und den Beitrag eines internationalen Umfelds schätzen,

....und die damit ausgezeichnete Kandidatinnen/Kandidaten für eine weitere akademische oder industrielle Karriere nach Abschluss der Dissertation sind.

Als ideale Kandidatin / idealer Kandidat bringen Sie mit:

• Ein abgeschlossenes Masterstudium in Physik oder einer vergleichbaren Fachrichtung
• Erfahrung auf mindestens einem der folgenden Gebiete: Halbleiterphysik, Festkörperphysik, Messtechnik und Datenauswertung
• Analytische Fähigkeiten, Kreativität und die Bereitschaft zum interdisziplinären Arbeiten
• Eine ausgeprägte Eigeninitiative und Einsatzbereitschaft
• Sehr gute Kommunikationsfähigkeiten auf Deutsch und Englisch

Bitte fügen Sie der Bewerbung die folgenden Dokumente bei:

• Ihr Lebenslauf
• Motivationsschreiben
• Kopie Ihres Masterabschlusses, falls bereits vorhanden
• Ansonsten: Kopie Ihres letzten Studienzeugnisses

Diese Position unterliegt dem KV für Arbeiter und Angestellte der EEI

(https://www.feei.at/leistungen/informations-service/mindestlohne-und-gehalter). Das Gehalt für diese Stelle beträgt EUR 3.300,00 brutto p.m. (Vollzeitbasis).